Технічний опис STL18NM60N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STL18NM60N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
STL18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.1A 5-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
|
| STL18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.1A 5-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
||
|
|
STL18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLATPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|
|
STL18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V 0.2 60 Ohm 6 A MDmesh II |
товару немає в наявності |

