STL19N60M2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL19N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.278 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.278ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 65.13 грн |
| 500+ | 55.47 грн |
| 1000+ | 52.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL19N60M2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL19N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.278 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.278ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції STL19N60M2 за ціною від 52.08 грн до 107.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STL19N60M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL19N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.278 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: MDmesh productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.278ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STL19N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 5-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STL19N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 5-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STL19N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STL19N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.278 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET |
товару немає в наявності |