Інші пропозиції STL20N6F7 за ціною від 24.81 грн до 126.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL20N6F7 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLATPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL20N6F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL20N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL20N6F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL20N6F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL20N6F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL20N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL20N6F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 12A; 78W Case: PowerFLAT 3.3x3.3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar On-state resistance: 5.4mΩ Drain current: 12A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 78W Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2047 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL20N6F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 7154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL20N6F7 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3. |
на замовлення 9702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL20N6F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL20N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|