Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STL20N6F7

STL20N6F7

en.DM00157934.pdf
Код товару: 166310
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STL20N6F7 за ціною від 29.68 грн до 123.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STL20N6F7 STL20N6F7 STMicroelectronics en.DM00157934.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.10 грн
6000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 STL20N6F7 STMicroelectronics 1418176539440803dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 STL20N6F7 STMicroelectronics 1418176539440803dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 STL20N6F7 STMicroelectronics STL20N6F7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 12A; 78W
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.4mΩ
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 78W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+106.34 грн
10+73.13 грн
50+51.13 грн
100+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 STL20N6F7 STMicroelectronics en.DM00157934.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 6503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.57 грн
10+75.24 грн
100+50.34 грн
500+37.23 грн
1000+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 STL20N6F7 STMicroelectronics en.DM00157934.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.
на замовлення 9702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 STL20N6F7 STMICROELECTRONICS 2819078.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL20N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 STL20N6F7 STMICROELECTRONICS 2819078.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL20N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 STL20N6F7 STMICROELECTRONICS 2819078.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL20N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 en.DM00157934.pdf
STL20N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+33.10 грн
6000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 1418176539440803dm001.pdf
STL20N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 1418176539440803dm001.pdf
STL20N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 STL20N6F7.pdf
STL20N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 12A; 78W
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.4mΩ
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 78W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+106.34 грн
10+73.13 грн
50+51.13 грн
100+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 en.DM00157934.pdf
STL20N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 6503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.57 грн
10+75.24 грн
100+50.34 грн
500+37.23 грн
1000+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 en.DM00157934.pdf
STL20N6F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.
на замовлення 9702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 2819078.pdf
STL20N6F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL20N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 2819078.pdf
STL20N6F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL20N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 2819078.pdf
STL20N6F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL20N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.