STL21N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.43 грн |
| 10+ | 213.78 грн |
| 100+ | 169.89 грн |
| 500+ | 168.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL21N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 179mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STL21N65M5 за ціною від 225.39 грн до 241.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 4-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 1449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
STL21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 4-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 1449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
STL21N65M5 Код товару: 106076
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||
 |
STL21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 5-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
|||||
| STL21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 5-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
||||||
|
|
STL21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 4-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||
 |
STL21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 179mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
STL21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 179mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||
| STL21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 68A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 17A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |