STL22N60DM6 STMicroelectronics


stl22n60dm6.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 5-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL22N60DM6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 102W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STL22N60DM6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL22N60DM6 Виробник : STMicroelectronics en.brmd60620.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 42A; 102W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 102W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL22N60DM6 STL22N60DM6 Виробник : STMicroelectronics en.brmd60620.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL22N60DM6 STL22N60DM6 Виробник : STMicroelectronics stl22n60dm6-2956113.pdf MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL22N60DM6 Виробник : STMicroelectronics en.brmd60620.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 42A; 102W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 102W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.