STL24N60DM2

STL24N60DM2 STMicroelectronics


stl24n60dm2-1851010.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 8807 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.74 грн
10+191.59 грн
25+165.86 грн
100+121.10 грн
500+102.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL24N60DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STL24N60DM2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL24N60DM2 STL24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 697308209732106dm0010.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 5-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 697308209732106dm0010.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 5-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60DM2 STL24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 697308209732106dm0010.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60DM2 STL24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 697308209732106dm0010.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00109425.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60DM2 STL24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00109425.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60DM2 STL24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00109425.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00109425.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.