
STL24N60DM2 STMicroelectronics
на замовлення 8807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 245.74 грн |
10+ | 191.59 грн |
25+ | 165.86 грн |
100+ | 121.10 грн |
500+ | 102.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL24N60DM2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STL24N60DM2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STL24N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STL24N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STL24N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STL24N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STL24N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 125W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
|
STL24N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
|
STL24N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
STL24N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 125W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |