STL24N60M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 99.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL24N60M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STL24N60M2 за ціною від 98.34 грн до 326.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL24N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STL24N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STL24N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V |
на замовлення 39404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STL24N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2 |
на замовлення 2694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STL24N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 5-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STL24N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STL24N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 5-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STL24N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 72A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STL24N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 72A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |