STL24N65M2 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 309.56 грн |
| 71+ | 197.67 грн |
| 100+ | 160.37 грн |
| 500+ | 144.76 грн |
| 1000+ | 118.22 грн |
| 2000+ | 106.29 грн |
| 3000+ | 103.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL24N65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 14A PWRFLAT HV, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції STL24N65M2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STL24N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 14A PWRFLAT HV Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|
 |
STL24N65M2 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 650 V, 0.205 Ohm typ., 14 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 |
товару немає в наявності |