STL260N4F7 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL260N4F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 900 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 123.08 грн |
| 500+ | 93.01 грн |
| 1000+ | 79.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL260N4F7 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL260N4F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 900 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 188W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STL260N4F7 за ціною від 72.52 грн до 236.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL260N4F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V |
на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL260N4F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL260N4F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 900 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL260N4F7 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5 |
на замовлення 5413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STL260N4F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 188W Case: PowerFLAT 5x6 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 72nC On-state resistance: 1.1mΩ Drain current: 120A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 188W Drain-source voltage: 40V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STL260N4F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 188W Case: PowerFLAT 5x6 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 72nC On-state resistance: 1.1mΩ Drain current: 120A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 188W Drain-source voltage: 40V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STL260N4F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STL260N4F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STL260N4F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STL260N4F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |