Продукція > STMICROELECTRONICS > STL260N4LF7
STL260N4LF7

STL260N4LF7 STMICROELECTRONICS

stl260n4lf7.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL260N4LF7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00085 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+114.44 грн
500+104.73 грн
1000+95.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL260N4LF7 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STL260N4LF7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00085 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 188W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STL260N4LF7 за ціною від 84.45 грн до 271.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL260N4LF7 STL260N4LF7 Виробник : STMICROELECTRONICS stl260n4lf7.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL260N4LF7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00085 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.89 грн
10+142.43 грн
100+114.44 грн
500+104.73 грн
1000+95.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STL260N4LF7 STL260N4LF7 Виробник : STMicroelectronics stl260n4lf7-1903137.pdf MOSFETs N-channel 40 V, 0.00085 Ohm typ 120 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 5678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.51 грн
10+145.17 грн
25+125.50 грн
100+102.01 грн
250+101.28 грн
500+91.00 грн
1000+88.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL260N4LF7 STL260N4LF7 Виробник : STMicroelectronics stl260n4lf7.pdf Description: N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.51 грн
10+170.56 грн
100+119.06 грн
500+91.09 грн
1000+84.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL260N4LF7 Виробник : STMicroelectronics en.dm00215630.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL260N4LF7 Виробник : STMicroelectronics en.dm00215630.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL260N4LF7 Виробник : STMicroelectronics en.dm00215630.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL260N4LF7 Виробник : STMicroelectronics stl260n4lf7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 188W
Case: PowerFLAT 5x6
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL260N4LF7 STL260N4LF7 Виробник : STMicroelectronics stl260n4lf7.pdf Description: N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL260N4LF7 Виробник : STMicroelectronics stl260n4lf7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 188W
Case: PowerFLAT 5x6
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.