STL26N60DM6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 319.97 грн |
| 10+ | 203.42 грн |
| 100+ | 143.96 грн |
| 500+ | 116.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL26N60DM6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL26N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.215 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm, SVHC: No SVHC (05-Nov-2025).
Інші пропозиції STL26N60DM6 за ціною від 264.16 грн до 413.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL26N60DM6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL26N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.215 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: PowerFLAT HV Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm SVHC: No SVHC (05-Nov-2025) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
STL26N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
STL26N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
STL26N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 175 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 |
товару немає в наявності |