Продукція > STMICROELECTRONICS > STL26N60DM6
STL26N60DM6

STL26N60DM6 STMicroelectronics

stl26n60dm6.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 100 V
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+319.01 грн
10+202.81 грн
100+143.53 грн
500+116.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL26N60DM6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL26N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.215 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (05-Nov-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm.

Інші пропозиції STL26N60DM6 за ціною від 346.27 грн до 562.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STL26N60DM6 STL26N60DM6 STMICROELECTRONICS stl26n60dm6.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL26N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.215 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+562.49 грн
10+346.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL26N60DM6 stl26n60dm6.pdf
STL26N60DM6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL26N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.215 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+562.49 грн
10+346.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.