STL26NM60N STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125mW (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 359.29 грн |
| 10+ | 246.46 грн |
| 100+ | 194.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL26NM60N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 125mW (Ta), 3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STL26NM60N за ціною від 160.37 грн до 391.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL26NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II |
на замовлення 2119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STL26NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 19A 5-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STL26NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 19A 4-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STL26NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 19A 4-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STL26NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 19A 5-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
STL26NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 125mW (Ta), 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STL26NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 76A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 76A Power dissipation: 125W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |