STL28N60DM2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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Технічний опис STL28N60DM2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL28N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.175 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (05-Nov-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM2 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm.
Інші пропозиції STL28N60DM2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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STL28N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL28N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.175 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (05-Nov-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT HV Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STL28N60DM2 |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL28N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.175 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STL28N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.175 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)