STL28N60DM2 STMicroelectronics
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 321.00 грн |
| 10+ | 244.50 грн |
| 100+ | 172.15 грн |
| 500+ | 152.29 грн |
| 1000+ | 130.95 грн |
| 3000+ | 123.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL28N60DM2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STL28N60DM2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STL28N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 21A 5-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||
| STL28N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 5-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||
| STL28N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 4-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||
| STL28N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 140W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| STL28N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
||
| STL28N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 140W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |