Продукція > STMICROELECTRONICS > STL2N80K5
STL2N80K5

STL2N80K5 STMicroelectronics

en.DM00092662.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL2N80K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STL2N80K5 за ціною від 29.33 грн до 119.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STL2N80K5 STL2N80K5 STMicroelectronics 2269085710289224dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.33 грн
6000+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2N80K5 STL2N80K5 STMicroelectronics 2269085710289224dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.33 грн
6000+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2N80K5 STL2N80K5 STMicroelectronics 2269085710289224dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.14 грн
25+55.20 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2N80K5 STL2N80K5 STMicroelectronics en.DM00092662.pdf MOSFETs N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected
на замовлення 5074 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+103.24 грн
10+60.72 грн
100+42.12 грн
500+35.54 грн
1000+34.23 грн
3000+29.62 грн
9000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2N80K5 STL2N80K5 STMicroelectronics en.DM00092662.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
на замовлення 3202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.55 грн
10+72.94 грн
50+54.70 грн
100+45.79 грн
500+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2N80K5 STL2N80K5 STMICROELECTRONICS 2581681.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL2N80K5 STL2N80K5 STMicroelectronics 2269085710289224dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2N80K5 STL2N80K5 STMICROELECTRONICS 2581681.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2N80K5 2269085710289224dm000.pdf
STL2N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+38.33 грн
6000+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2N80K5 2269085710289224dm000.pdf
STL2N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+38.33 грн
6000+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2N80K5 2269085710289224dm000.pdf
STL2N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+56.14 грн
25+55.20 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2N80K5 en.DM00092662.pdf
STL2N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected
на замовлення 5074 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+103.24 грн
10+60.72 грн
100+42.12 грн
500+35.54 грн
1000+34.23 грн
3000+29.62 грн
9000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2N80K5 en.DM00092662.pdf
STL2N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
на замовлення 3202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.55 грн
10+72.94 грн
50+54.70 грн
100+45.79 грн
500+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2N80K5 2581681.pdf
STL2N80K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL2N80K5 2269085710289224dm000.pdf
STL2N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2N80K5 2581681.pdf
STL2N80K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.