STL2N80K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 32.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL2N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STL2N80K5 за ціною від 28.91 грн до 132.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL2N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL2N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL2N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL2N80K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL2N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V |
на замовлення 3444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL2N80K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL2N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected |
на замовлення 2423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL2N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
STL2N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STL2N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STL2N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.5A; Idm: 6A; 33W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 33W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |