STL30N10F7 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 34.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL30N10F7 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STL30N10F7 за ціною від 32.73 грн до 135.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL30N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII |
на замовлення 1489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STL30N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V |
на замовлення 5466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STL30N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STL30N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STL30N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 120A; 4.8W Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Case: PowerFLAT 5x6 Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 4.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STL30N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 120A; 4.8W Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Case: PowerFLAT 5x6 Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 4.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |