STL30P3LLH6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 27.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL30P3LLH6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL30P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 A, 0.024 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STL30P3LLH6 за ціною від 29.00 грн до 99.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL30P3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL30P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 A, 0.024 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL30P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V |
на замовлення 9905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL30P3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL30P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 A, 0.024 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL30P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ 30 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET |
на замовлення 6422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL30P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 30A 8-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
STL30P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 30A 8-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STL30P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 30A 8-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STL30P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 30A 8-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |