STL31N65M5

STL31N65M5 STMicroelectronics


en.DM00098856.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 100 V
на замовлення 2160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.70 грн
10+176.87 грн
100+164.49 грн
500+148.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL31N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STL31N65M5 за ціною від 123.89 грн до 233.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL31N65M5 STL31N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00098856.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.21 грн
10+193.17 грн
100+156.57 грн
500+152.77 грн
1000+131.49 грн
3000+123.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL31N65M5 STL31N65M5 Виробник : STMicroelectronics 1425201533855588dm000.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 2.8A 5-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL31N65M5 Виробник : STMicroelectronics 1425201533855588dm000.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 2.8A 5-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL31N65M5 STL31N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00098856.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL31N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00098856.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 125W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerFLAT 8x8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 162mΩ
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.