
STL320N4LF8 STMicroelectronics

Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 106.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL320N4LF8 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL320N4LF8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 0.00055 ohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції STL320N4LF8 за ціною від 80.17 грн до 254.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STL320N4LF8 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STL320N4LF8 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V |
на замовлення 5977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STL320N4LF8 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STL320N4LF8 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STL320N4LF8 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STL320N4LF8 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STL320N4LF8 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 360A; Idm: 1440A; 188W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 360A Pulsed drain current: 1.44kA Power dissipation: 188W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STL320N4LF8 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 360A; Idm: 1440A; 188W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 360A Pulsed drain current: 1.44kA Power dissipation: 188W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |