Продукція > STMICROELECTRONICS > STL325N4LF8AG
STL325N4LF8AG

STL325N4LF8AG STMicroelectronics

stl325n4lf8ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 373A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.90 грн
10+111.99 грн
100+91.59 грн
500+82.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL325N4LF8AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL325N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 373 A, 550 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 373A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STL325N4LF8AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STL325N4LF8AG STL325N4LF8AG STMicroelectronics stl325n4lf8ag.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL325N4LF8AG STL325N4LF8AG STMICROELECTRONICS stl325n4lf8ag.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL325N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 373 A, 550 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL325N4LF8AG STL325N4LF8AG STMICROELECTRONICS stl325n4lf8ag.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL325N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 373 A, 550 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL325N4LF8AG stl325n4lf8ag.pdf
STL325N4LF8AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL325N4LF8AG stl325n4lf8ag.pdf
STL325N4LF8AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL325N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 373 A, 550 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL325N4LF8AG stl325n4lf8ag.pdf
STL325N4LF8AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL325N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 373 A, 550 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.