Продукція > STMICROELECTRONICS > STL33N60DM6

STL33N60DM6 STMicroelectronics

Name: STL33N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 4367916-4
Price: 524009.99999999994 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 5-Pin Power Flat EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STL33N60DM6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STL33N60DM6

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STL33N60DM6	Виробник : STMicroelectronics	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 80A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 150W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STL33N60DM6	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 21A 5-Pin Power Flat EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STL33N60DM6	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STL33N60DM6	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STL33N60DM6	Виробник : STMicroelectronics	MOSFETs N-channel 600 V, 125 mOhm typ 21 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV p	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STL33N60DM6	Виробник : STMicroelectronics	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 80A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 150W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.