STL3N65M2 STMicroelectronics


stl3n65m2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.86 грн
6000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL3N65M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 22W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STL3N65M2 за ціною від 22.37 грн до 105.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STL3N65M2 STL3N65M2 STMicroelectronics stl3n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.64 грн
6000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2 STL3N65M2 STMicroelectronics en.DM00186730.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2 STL3N65M2 STMicroelectronics stl3n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 30324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+45.39 грн
361+40.59 грн
500+37.37 грн
1000+32.16 грн
3000+28.41 грн
6000+26.50 грн
9000+25.61 грн
24000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2 STL3N65M2 STMicroelectronics stl3n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 30324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.32 грн
18+45.39 грн
100+40.59 грн
500+36.03 грн
1000+29.78 грн
3000+27.27 грн
6000+26.36 грн
9000+25.61 грн
24000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2 STL3N65M2 STMicroelectronics en.DM00186730.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 1.6 Ohm typ 2.3 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 11658 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+51.94 грн
10+41.18 грн
100+26.35 грн
3000+24.02 грн
6000+23.50 грн
9000+23.42 грн
24000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2 STL3N65M2 STMicroelectronics stl3n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+55.04 грн
267+54.76 грн
306+47.87 грн
308+45.90 грн
500+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2 STL3N65M2 STMicroelectronics stl3n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.93 грн
15+55.04 грн
25+54.76 грн
100+46.16 грн
250+42.50 грн
500+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2 STL3N65M2 STMicroelectronics en.DM00186730.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.31 грн
10+64.05 грн
50+47.75 грн
100+39.87 грн
500+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2 stl3n65m2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.64 грн
6000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2 en.DM00186730.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2 stl3n65m2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 30324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
323+45.39 грн
361+40.59 грн
500+37.37 грн
1000+32.16 грн
3000+28.41 грн
6000+26.50 грн
9000+25.61 грн
24000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2 stl3n65m2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 30324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+49.32 грн
18+45.39 грн
100+40.59 грн
500+36.03 грн
1000+29.78 грн
3000+27.27 грн
6000+26.36 грн
9000+25.61 грн
24000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2 en.DM00186730.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 1.6 Ohm typ 2.3 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 11658 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.94 грн
10+41.18 грн
100+26.35 грн
3000+24.02 грн
6000+23.50 грн
9000+23.42 грн
24000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2 stl3n65m2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
266+55.04 грн
267+54.76 грн
306+47.87 грн
308+45.90 грн
500+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2 stl3n65m2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+60.93 грн
15+55.04 грн
25+54.76 грн
100+46.16 грн
250+42.50 грн
500+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2 en.DM00186730.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+105.31 грн
10+64.05 грн
50+47.75 грн
100+39.87 грн
500+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.