STL3NM60N

STL3NM60N STMicroelectronics


stl3nm60n.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.65A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
204+63.29 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL3NM60N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), 2.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STL3NM60N за ціною від 65.96 грн до 225.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL3NM60N STL3NM60N Виробник : STMicroelectronics stl3nm60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.65A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+67.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60N STL3NM60N Виробник : STMicroelectronics en.DM00048286.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60N STL3NM60N Виробник : STMicroelectronics en.DM00048286.pdf MOSFETs N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.00 грн
10+129.09 грн
100+82.27 грн
500+71.12 грн
1000+67.77 грн
3000+65.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60N STL3NM60N Виробник : STMicroelectronics en.DM00048286.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 50 V
на замовлення 7355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.12 грн
10+141.10 грн
100+97.76 грн
500+74.35 грн
1000+72.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60N
Код товару: 130677
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00048286.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60N STL3NM60N Виробник : STMicroelectronics stl3nm60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.65A 8-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60N STL3NM60N Виробник : STMicroelectronics stl3nm60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.65A 8-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60N Виробник : STMicroelectronics en.DM00048286.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 2.6A; 22W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 22W
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.5nC
Pulsed drain current: 2.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.