
STL40N10F7 STMicroelectronics
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 45.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL40N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL40N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.02 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.
Інші пропозиції STL40N10F7 за ціною від 41.61 грн до 171.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STL40N10F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 4117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STL40N10F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 4117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STL40N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 50 V |
на замовлення 4239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STL40N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STL40N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STL40N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STL40N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STL40N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STL40N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 70W Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Case: PowerFLAT 5x6 Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 24mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 70W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STL40N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STL40N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 70W Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Case: PowerFLAT 5x6 Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 24mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 70W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |