STL42P4LLF6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 40.19 грн |
| 6000+ | 36.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL42P4LLF6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL42P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0105 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 75W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0105ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
Інші пропозиції STL42P4LLF6 за ціною від 42.48 грн до 143.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL42P4LLF6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL42P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0105 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 75W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: PowerFLAT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0105ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 4920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL42P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET P-channel 40 V, 0.0155 Ohm typ 42 A STripFET F6 Power MOSFET |
на замовлення 11543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL42P4LLF6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL42P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0105 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 4920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL42P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -42A; Idm: -168A; 75W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -42A Pulsed drain current: -168A Power dissipation: 75W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL42P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V |
на замовлення 9025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STL42P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 42 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2850 @ 25, Qg, нКл = 22 @ 4,5 В, Rds = 18 мОм @ 5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|