STL45N60DM6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 519.97 грн |
| 10+ | 375.05 грн |
| 100+ | 245.92 грн |
| 500+ | 245.17 грн |
| 1000+ | 221.71 грн |
| 3000+ | 208.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL45N60DM6 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STL45N60DM6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
STL45N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 5-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|
| STL45N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 5-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||
|
|
STL45N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HVPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
STL45N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HVPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |