STL45N65M5 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.075 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 336.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL45N65M5 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.075 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 160W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Інші пропозиції STL45N65M5 за ціною від 336.42 грн до 394.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STL45N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.075 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 160W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STL45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 3.8A 5-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STL45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 3.8A 5-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| STL45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.5A; Idm: 90A; 160W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: PowerFLAT 8x8 On-state resistance: 86mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 160W Gate charge: 82nC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 90A Drain current: 22.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
STL45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 22.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFLAT™ (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
STL45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 22.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFLAT™ (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
STL45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STL45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.5A; Idm: 90A; 160W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: PowerFLAT 8x8 On-state resistance: 86mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 160W Gate charge: 82nC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 90A Drain current: 22.5A |
товару немає в наявності |