Продукція > STMICROELECTRONICS > STL47N60M6
STL47N60M6

STL47N60M6 STMicroelectronics

stl47n60m6.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 31A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+233.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL47N60M6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 31A PWRFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 189W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V.

Інші пропозиції STL47N60M6 за ціною від 216.37 грн до 578.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL47N60M6 STL47N60M6 Виробник : STMicroelectronics stl47n60m6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 31A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.86 грн
10+352.20 грн
100+286.21 грн
500+247.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL47N60M6 STL47N60M6 Виробник : STMicroelectronics stl47n60m6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+578.63 грн
10+389.88 грн
100+275.03 грн
500+254.46 грн
1000+236.18 грн
3000+216.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL47N60M6 STL47N60M6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00451733.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 5-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL47N60M6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00451733.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 5-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL47N60M6 Виробник : STMicroelectronics stl47n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; Idm: 124A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 124A
Power dissipation: 190W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.