STL4N10F7 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 38.37 грн |
| 500+ | 29.82 грн |
| 1000+ | 24.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL4N10F7 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35.7W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STL4N10F7 за ціною від 20.48 грн до 102.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STL4N10F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL4N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET |
на замовлення 3467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL4N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| STL4N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 35.7W Mounting: SMD Gate charge: 7.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 18A Case: PowerFLAT 3.3x3.3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.5A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STL4N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STL4N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 35.7W Mounting: SMD Gate charge: 7.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 18A Case: PowerFLAT 3.3x3.3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.5A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |