STL4N10F7

STL4N10F7 STMicroelectronics


en.DM00069392.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
на замовлення 803 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.16 грн
10+44.97 грн
100+25.79 грн
500+20.28 грн
1000+17.35 грн
3000+14.98 грн
6000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL4N10F7 STMicroelectronics

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 35.7W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 4.5A, Pulsed drain current: 18A, Power dissipation: 35.7W, Case: PowerFLAT 3.3x3.3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 70mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 7.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції STL4N10F7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL4N10F7 STL4N10F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00069392.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N10F7 STL4N10F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00069392.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N10F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00069392.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 35.7W
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.