Технічний опис STL4N10F7 STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 35.7W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 4.5A, Pulsed drain current: 18A, Power dissipation: 35.7W, Case: PowerFLAT 3.3x3.3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 70mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 7.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції STL4N10F7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STL4N10F7 | STMicroelectronics |
 MOSFETs N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3 |
на замовлення 803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STL4N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
MOSFETs N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)