Технічний опис STL4N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35.7W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STL4N10F7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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STL4N10F7 | STMicroelectronics |
 MOSFETs N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3 |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STL4N10F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STL4N10F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STL4N10F7 |
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Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
MOSFETs N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STL4N10F7 |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STL4N10F7 |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)