STL4P3LLH6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.67 грн |
| 6000+ | 12.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL4P3LLH6 STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STL4P3LLH6 за ціною від 11.50 грн до 57.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL4P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 4 A STripFET H6 Power MOSFET in PowerFLAT 2x2 pack |
на замовлення 7258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL4P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V |
на замовлення 6302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|