Продукція > STMICROELECTRONICS > STL50N6F7
STL50N6F7

STL50N6F7 STMicroelectronics

stl50n6f7-1851046.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 60 V, 9 mOhm typ 60 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 3937 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.16 грн
10+74.49 грн
100+50.48 грн
500+42.73 грн
1000+34.83 грн
3000+31.67 грн
6000+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL50N6F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL50N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.009 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).

Інші пропозиції STL50N6F7 за ціною від 32.39 грн до 109.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STL50N6F7 STL50N6F7 STMicroelectronics stl50n6f7.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.50 грн
10+66.55 грн
50+49.59 грн
100+41.40 грн
500+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50N6F7 STL50N6F7 STMICROELECTRONICS stl50n6f7.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL50N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.009 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL50N6F7 STL50N6F7 STMICROELECTRONICS stl50n6f7.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL50N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.009 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50N6F7 stl50n6f7.pdf
STL50N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.50 грн
10+66.55 грн
50+49.59 грн
100+41.40 грн
500+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50N6F7 stl50n6f7.pdf
STL50N6F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL50N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.009 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL50N6F7 stl50n6f7.pdf
STL50N6F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL50N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.009 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.