Продукція > STMICROELECTRONICS > STL52N60DM6
STL52N60DM6

STL52N60DM6 STMICROELECTRONICS

3475727.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL52N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45 A, 0.072 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 174W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+425.46 грн
50+375.27 грн
100+270.40 грн
250+265.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL52N60DM6 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STL52N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45 A, 0.072 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 174W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 174W, Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STL52N60DM6 за ціною від 265.29 грн до 711.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL52N60DM6 STL52N60DM6 Виробник : STMicroelectronics stl52n60dm6.pdf Description: N-CHANNEL 600 V, 0.084 OHM TYP.,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2468 pF @ 100 V
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+573.87 грн
10+473.84 грн
100+394.90 грн
500+327.00 грн
1000+294.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL52N60DM6 STL52N60DM6 Виробник : STMICROELECTRONICS 3475727.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL52N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45 A, 0.072 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+584.89 грн
5+505.60 грн
10+425.46 грн
50+375.27 грн
100+270.40 грн
250+265.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL52N60DM6 STL52N60DM6 Виробник : STMicroelectronics stl52n60dm6-2504642.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.084 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+711.15 грн
10+504.33 грн
25+434.75 грн
100+324.54 грн
250+323.78 грн
500+284.26 грн
1000+283.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL52N60DM6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00610551.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 45A 5-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL52N60DM6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00610551.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 45A 5-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL52N60DM6 STL52N60DM6 Виробник : STMicroelectronics stl52n60dm6.pdf Description: N-CHANNEL 600 V, 0.084 OHM TYP.,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2468 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL52N60DM6 Виробник : STMicroelectronics stl52n60dm6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 128A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 174W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.