STL52N60DM6 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL52N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45 A, 0.072 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 174W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 224.51 грн |
| 250+ | 215.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL52N60DM6 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL52N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45 A, 0.072 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 174W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 174W, Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STL52N60DM6 за ціною від 218.23 грн до 577.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL52N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 600 V, 0.084 OHM TYP., Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 174W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2468 pF @ 100 V |
на замовлення 2683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STL52N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H |
на замовлення 1501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL52N60DM6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL52N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45 A, 0.072 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 174W Bauform - Transistor: PowerFLAT HV Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL52N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 600 V, 0.084 OHM TYP., Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 174W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2468 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |