STL57N65M5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 419.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL57N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.061 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 189W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STL57N65M5 за ціною від 402.07 грн до 912.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL57N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.061 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 22.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 189W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V |
на замовлення 6231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL57N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.061 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STL57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5 |
на замовлення 2727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STL57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 4.3A 5-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STL57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 4.3A 5-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STL57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; Idm: 90A; 189W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 189W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 69mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |