
STL60N10F7 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 100V 46A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 43.58 грн |
6000+ | 39.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL60N10F7 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 46A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 72W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): 20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STL60N10F7 за ціною від 39.78 грн до 155.60 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STL60N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 29140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STL60N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V |
на замовлення 14477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STL60N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STL60N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STL60N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 48A; 72W Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 48A Case: PowerFLAT 5x6 Drain-source voltage: 100V Drain current: 46A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 72W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STL60N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 48A; 72W Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 48A Case: PowerFLAT 5x6 Drain-source voltage: 100V Drain current: 46A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 72W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |