STL6N2VH5 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL6N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.72 грн |
| 500+ | 21.94 грн |
| 1000+ | 15.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL6N2VH5 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL6N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: STripFET V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STL6N2VH5 за ціною від 15.74 грн до 65.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STL6N2VH5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL6N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL6N2VH5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 20V POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 16 V |
на замовлення 2834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL6N2VH5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 20 V 0.025 Ohm 6 A STripFET V |
на замовлення 3439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL6N2VH5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STL6N2VH5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STL6N2VH5 | Виробник : STMicroelectronics |
STL6N2VH5 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STL6N2VH5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 20V POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 16 V |
товару немає в наявності |