STL6N3LLH6 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.021 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 36.31 грн |
| 500+ | 26.37 грн |
| 1000+ | 22.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL6N3LLH6 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.021 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.8W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: STripFET H6, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STL6N3LLH6 за ціною від 18.35 грн до 82.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL6N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG |
на замовлення 8872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL6N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 24 V |
на замовлення 1449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL6N3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.021 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STL6N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
STL6N3LLH6 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STL6N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 24 V |
товару немає в наявності |