Продукція > STL > STL6NM60N

STL6NM60N


en.CD00157475.pdf Виробник:

на замовлення 64947 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL6NM60N

Description: MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFLAT™ (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STL6NM60N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL6NM60N STL6NM60N Виробник : STMicroelectronics stl6nm60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.75A 14-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL6NM60N STL6NM60N Виробник : STMicroelectronics en.CD00157475.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFLAT™ (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.