STL6P3LLH6

STL6P3LLH6 STMicroelectronics


en.DM00064617.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL6P3LLH6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.9W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: STripFET H6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STL6P3LLH6 за ціною від 27.20 грн до 115.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL6P3LLH6 STL6P3LLH6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00064617.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.34 грн
6000+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6 STL6P3LLH6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00064617.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.01 грн
6000+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6 STL6P3LLH6 Виробник : STMICROELECTRONICS 2819085.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.29 грн
500+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6 STL6P3LLH6 Виробник : STMICROELECTRONICS 2819085.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.68 грн
50+69.48 грн
100+58.29 грн
500+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6 STL6P3LLH6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00064617.pdf MOSFETs P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
на замовлення 39595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.55 грн
10+73.77 грн
100+45.25 грн
500+35.66 грн
1000+32.53 грн
3000+27.96 грн
6000+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6 STL6P3LLH6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00064617.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.38 грн
10+70.47 грн
100+47.08 грн
500+34.77 грн
1000+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6 STL6P3LLH6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00064617.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00064617.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6 STL6P3LLH6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00064617.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00064617.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; Idm: -24A; 2.9W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -24A
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.