STL7N10F7 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 30.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL7N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL7N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.027 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET VII DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STL7N10F7 за ціною від 27.08 грн до 120.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL7N10F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL7N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.027 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET VII DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL7N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V |
на замовлення 6551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL7N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ 7 A STripFET F7 Power MOSFET |
на замовлення 2629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL7N10F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL7N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.027 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET VII DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STL7N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7A; Idm: 28A; 50W Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 28A Case: PowerFLAT 3.3x3.3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 7A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STL7N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7A; Idm: 28A; 50W Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 28A Case: PowerFLAT 3.3x3.3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 7A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |