STL7N60M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFLAT™ (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.58 грн |
| 10+ | 89.14 грн |
| 100+ | 63.38 грн |
| 500+ | 45.58 грн |
| 1000+ | 41.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL7N60M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 67W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFLAT™ (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STL7N60M2 за ціною від 41.10 грн до 170.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL7N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.92 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STL7N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 12-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STL7N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 12-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STL7N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 67W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 67W Case: PowerFLAT 5x5 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
STL7N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFLAT™ (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STL7N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 67W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 67W Case: PowerFLAT 5x5 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |