Продукція > STMICROELECTRONICS > STL7N6F7
STL7N6F7

STL7N6F7 STMicroelectronics

stl7n6f7-1850961.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 60 V, 0.019 Ohm typ 7 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 17013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.82 грн
10+44.54 грн
100+27.26 грн
500+22.81 грн
1000+19.47 грн
3000+16.97 грн
6000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL7N6F7 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STL7N6F7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL7N6F7 STL7N6F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00223993.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL7N6F7 STL7N6F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00223993.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.