STL8DN10LF3 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 70W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 186.55 грн |
| 10+ | 125.67 грн |
| 100+ | 88.96 грн |
| 500+ | 68.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL8DN10LF3 STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Power - Max: 70W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.
Інші пропозиції STL8DN10LF3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STL8DN10LF3 | STMicroelectronics |
MOSFETs Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III |
на замовлення 5856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STL8DN10LF3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III
MOSFETs Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III
на замовлення 5856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)