STL8DN10LF3 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 70W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 188.95 грн |
| 10+ | 127.29 грн |
| 100+ | 90.10 грн |
| 500+ | 69.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL8DN10LF3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN10LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STL8DN10LF3 за ціною від 62.38 грн до 219.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL8DN10LF3 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN10LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STL8DN10LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III |
на замовлення 838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STL8DN10LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
STL8DN10LF3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
STL8DN10LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 70W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |