STL8DN6LF3 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 62.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL8DN6LF3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0225 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0225ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0225ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STL8DN6LF3 за ціною від 52.06 грн до 171.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL8DN6LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL8DN6LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL8DN6LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL8DN6LF3 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0225 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0225ohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0225ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL8DN6LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL8DN6LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL8DN6LF3 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0225 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0225ohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0225ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL8DN6LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII |
на замовлення 1614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL8DN6LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL8DN6LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STL8DN6LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STL8DN6LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 20A; Idm: 31.2A; 65W Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: PowerFLAT 5x6 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC On-state resistance: 30mΩ Drain current: 20A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 31.2A Power dissipation: 65W Application: automotive industry Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |