Продукція > STMICROELECTRONICS > STL8DN6LF3
STL8DN6LF3

STL8DN6LF3 STMicroelectronics

en.DM00039155.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+57.45 грн
6000+51.99 грн
9000+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL8DN6LF3 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції STL8DN6LF3 за ціною від 43.23 грн до 206.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STL8DN6LF3 STL8DN6LF3 STMicroelectronics en.dm00039155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+57.48 грн
251+56.90 грн
263+54.28 грн
265+51.96 грн
500+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF3 STL8DN6LF3 STMicroelectronics en.dm00039155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.24 грн
14+57.48 грн
25+56.90 грн
100+52.34 грн
250+48.11 грн
500+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF3 STL8DN6LF3 STMicroelectronics en.dm00039155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF3 STL8DN6LF3 STMicroelectronics en.dm00039155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF3 STL8DN6LF3 STMicroelectronics en.DM00039155.pdf MOSFETs Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+186.00 грн
10+109.33 грн
100+60.41 грн
500+51.41 грн
1000+49.00 грн
3000+47.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF3 STL8DN6LF3 STMicroelectronics en.DM00039155.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.71 грн
10+128.79 грн
100+88.47 грн
500+66.84 грн
1000+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF3 STL8DN6LF3 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0010030721-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF3 STL8DN6LF3 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0010030721-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF3 en.dm00039155.pdf
STL8DN6LF3
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
248+57.48 грн
251+56.90 грн
263+54.28 грн
265+51.96 грн
500+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF3 en.dm00039155.pdf
STL8DN6LF3
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+60.24 грн
14+57.48 грн
25+56.90 грн
100+52.34 грн
250+48.11 грн
500+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF3 en.dm00039155.pdf
STL8DN6LF3
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+76.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF3 en.dm00039155.pdf
STL8DN6LF3
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF3 en.DM00039155.pdf
STL8DN6LF3
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.00 грн
10+109.33 грн
100+60.41 грн
500+51.41 грн
1000+49.00 грн
3000+47.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF3 en.DM00039155.pdf
STL8DN6LF3
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+206.71 грн
10+128.79 грн
100+88.47 грн
500+66.84 грн
1000+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF3 SGST-S-A0010030721-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STL8DN6LF3
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF3 SGST-S-A0010030721-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STL8DN6LF3
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.