STL8DN6LF3 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 248+ | 57.10 грн |
| 251+ | 56.53 грн |
| 263+ | 53.92 грн |
| 265+ | 51.62 грн |
| 500+ | 44.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL8DN6LF3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STL8DN6LF3 за ціною від 42.95 грн до 204.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STL8DN6LF3 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STL8DN6LF3 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 65W |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STL8DN6LF3 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STL8DN6LF3 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STL8DN6LF3 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STL8DN6LF3 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 65W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 20991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STL8DN6LF3 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STL8DN6LF3 | STMicroelectronics |
MOSFETs Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII |
на замовлення 3349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STL8DN6LF3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 59.84 грн |
| 14+ | 57.10 грн |
| 25+ | 56.53 грн |
| 100+ | 51.99 грн |
| 250+ | 47.79 грн |
| 500+ | 42.95 грн |
| STL8DN6LF3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 65W
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 65W
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 60.18 грн |
| STL8DN6LF3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 75.88 грн |
| STL8DN6LF3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 75.97 грн |
| STL8DN6LF3 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 106.48 грн |
| 500+ | 75.48 грн |
| 1000+ | 64.10 грн |
| STL8DN6LF3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 65W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 65W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 164.60 грн |
| 10+ | 107.86 грн |
| 100+ | 78.54 грн |
| 500+ | 62.45 грн |
| 1000+ | 57.91 грн |
| STL8DN6LF3 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 204.02 грн |
| 10+ | 139.81 грн |
| 100+ | 106.48 грн |
| 500+ | 75.48 грн |
| 1000+ | 64.10 грн |
| STL8DN6LF3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII
MOSFETs Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII
на замовлення 3349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)