STL8DN6LF6AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 34.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL8DN6LF6AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.027 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 55W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F6 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 55W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STL8DN6LF6AG за ціною від 29.69 грн до 190.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL8DN6LF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL8DN6LF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL8DN6LF6AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.027 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 55W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 55W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL8DN6LF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 32A; Idm: 128A; 55W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 55W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 2889 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL8DN6LF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 17932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL8DN6LF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFE |
на замовлення 3470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL8DN6LF6AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.027 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 55W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 55W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL8DN6LF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |