STL8DN6LF6AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL8DN6LF6AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.027 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 55W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F6 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 55W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STL8DN6LF6AG за ціною від 34.61 грн до 190.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STL8DN6LF6AG | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STL8DN6LF6AG | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STL8DN6LF6AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.027 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 55W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 55W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STL8DN6LF6AG | STMicroelectronics |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 32A; Idm: 128A; 55W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 55W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 2889 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STL8DN6LF6AG | STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 32A POWERFLATPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 17932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STL8DN6LF6AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.027 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 55W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 55W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STL8DN6LF6AG | STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFE |
на замовлення 3470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STL8DN6LF6AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 338+ | 41.90 грн |
| 341+ | 41.53 грн |
| 344+ | 41.14 грн |
| 500+ | 39.31 грн |
| 1000+ | 36.05 грн |
| STL8DN6LF6AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 42.29 грн |
| 25+ | 41.90 грн |
| 100+ | 40.04 грн |
| 250+ | 36.73 грн |
| 500+ | 34.94 грн |
| 1000+ | 34.61 грн |
| STL8DN6LF6AG |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 55W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 55W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 55W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 55W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 76.16 грн |
| 500+ | 54.27 грн |
| 1000+ | 46.19 грн |
| 5000+ | 42.85 грн |
| STL8DN6LF6AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 32A; Idm: 128A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 55W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 32A; Idm: 128A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 55W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 102.96 грн |
| 10+ | 66.25 грн |
| 100+ | 62.06 грн |
| STL8DN6LF6AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.87 грн |
| 10+ | 73.14 грн |
| 100+ | 52.34 грн |
| 500+ | 41.15 грн |
| 1000+ | 37.67 грн |
| STL8DN6LF6AG |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 55W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 55W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 55W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 55W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 190.21 грн |
| 10+ | 122.74 грн |
| 100+ | 76.16 грн |
| 500+ | 54.27 грн |
| 1000+ | 46.19 грн |
| 5000+ | 42.85 грн |
| STL8DN6LF6AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFE
MOSFETs Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFE
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






