STL8DN6LF6AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 35.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL8DN6LF6AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 55W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F6 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 55W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STL8DN6LF6AG за ціною від 32.32 грн до 120.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STL8DN6LF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STL8DN6LF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STL8DN6LF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STL8DN6LF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STL8DN6LF6AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.021 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 55W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 55W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STL8DN6LF6AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.021 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 55W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 55W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STL8DN6LF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ 32 A STripFET F6 Power MOSFET |
на замовлення 1771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STL8DN6LF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 32A POWERFLATPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 17932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STL8DN6LF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
STL8DN6LF6AG Multi channel transistors |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|


