STL8DN6LF6AG

STL8DN6LF6AG STMicroelectronics


en.DM00208902.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL8DN6LF6AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 55W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F6 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 55W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STL8DN6LF6AG за ціною від 32.08 грн до 117.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Виробник : STMicroelectronics stl8dn6lf6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Виробник : STMicroelectronics stl8dn6lf6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Виробник : STMicroelectronics stl8dn6lf6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
306+40.56 грн
310+40.05 грн
314+39.54 грн
318+37.62 грн
500+34.38 грн
1000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Виробник : STMicroelectronics stl8dn6lf6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+54.08 грн
17+43.46 грн
25+41.38 грн
100+37.82 грн
250+35.83 грн
500+35.36 грн
1000+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00208902.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 55W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 55W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.16 грн
500+41.22 грн
1000+37.11 грн
5000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00208902.pdf MOSFETs Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFE
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.33 грн
10+55.17 грн
100+43.59 грн
500+40.71 грн
1000+37.76 грн
3000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00208902.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 55W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 55W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.76 грн
15+59.25 грн
100+54.16 грн
500+41.22 грн
1000+37.11 грн
5000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00208902.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 32A; Idm: 128A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PowerFLAT 5x6
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 55W
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.28 грн
10+73.30 грн
100+65.42 грн
500+58.33 грн
1000+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00208902.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 32A; Idm: 128A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PowerFLAT 5x6
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 55W
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.94 грн
10+91.35 грн
100+78.51 грн
500+69.99 грн
1000+63.37 грн
3000+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00208902.pdf Description: MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.87 грн
10+76.38 грн
100+54.66 грн
500+42.98 грн
1000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.