STL8N10F7 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL8N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.017 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 50.96 грн |
| 500+ | 38.15 грн |
| 1000+ | 31.83 грн |
| 5000+ | 28.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL8N10F7 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL8N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.017 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STL8N10F7 за ціною від 28.44 грн до 112.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL8N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 100 V, 0.017 Ohm typ 35 A STripFET F7 Power MOSFET |
на замовлення 48582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL8N10F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.017 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STL8N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V |
на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STL8N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 140A; 50W Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 140A Case: PowerFLAT 3.3x3.3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
STL8N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STL8N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 140A; 50W Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 140A Case: PowerFLAT 3.3x3.3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |