Інші пропозиції STL8N10LF3 за ціною від 56.10 грн до 191.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  |
STL8N10LF3 | STMicroelectronics |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 31.2A; 70W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Pulsed drain current: 31.2A Power dissipation: 70W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 2513 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL8N10LF3 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL8N10LF3 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL8N10LF3 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL8N10LF3 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL8N10LF3 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL8N10LF3 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL8N10LF3 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 70W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL8N10LF3 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8N10LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 70W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
на замовлення 3666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
STL8N10LF3 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 V 25 mOhm 7.8 A STripFET III |
на замовлення 3426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
STL8N10LF3 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8N10LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 70W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 70W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
на замовлення 3666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STL8N10LF3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 31.2A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 31.2A
Power dissipation: 70W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 31.2A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 31.2A
Power dissipation: 70W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 178.43 грн |
| 10+ | 110.46 грн |
| 30+ | 92.05 грн |
| 100+ | 76.98 грн |
| 500+ | 71.13 грн |
| STL8N10LF3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 56.10 грн |
| STL8N10LF3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 56.21 грн |
| STL8N10LF3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 70.64 грн |
| STL8N10LF3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 81.22 грн |
| STL8N10LF3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 86.88 грн |
| 10+ | 85.57 грн |
| 25+ | 84.24 грн |
| 100+ | 79.96 грн |
| 250+ | 72.86 грн |
| 500+ | 68.82 грн |
| 1000+ | 67.68 грн |
| 3000+ | 66.55 грн |
| STL8N10LF3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 163+ | 86.88 грн |
| 165+ | 85.57 грн |
| 168+ | 84.24 грн |
| 171+ | 79.96 грн |
| 250+ | 72.86 грн |
| 500+ | 68.82 грн |
| 1000+ | 67.68 грн |
| 3000+ | 66.55 грн |
| STL8N10LF3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 191.61 грн |
| 10+ | 118.76 грн |
| 100+ | 81.40 грн |
| 500+ | 61.40 грн |
| 1000+ | 57.34 грн |
| STL8N10LF3 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL8N10LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STL8N10LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STL8N10LF3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 V 25 mOhm 7.8 A STripFET III
MOSFETs N-Ch 100 V 25 mOhm 7.8 A STripFET III
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STL8N10LF3 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL8N10LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 70W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STL8N10LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 70W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)