Інші пропозиції STL8N10LF3 за ціною від 51.56 грн до 197.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 +1 |
STL8N10LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 31.2A; 70W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Pulsed drain current: 31.2A Power dissipation: 70W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 2561 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STL8N10LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 70W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STL8N10LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STL8N10LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STL8N10LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STL8N10LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STL8N10LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STL8N10LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STL8N10LF3 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8N10LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 70W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: PowerFLAT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STL8N10LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 70W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STL8N10LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 V 25 mOhm 7.8 A STripFET III |
на замовлення 4127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STL8N10LF3 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8N10LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|