Продукція > STMICROELECTRONICS > STL8N65M2
STL8N65M2

STL8N65M2 STMicroelectronics

stl8n65m2-1851111.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 1 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.83 грн
3000+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL8N65M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції STL8N65M2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL8N65M2 STL8N65M2 Виробник : STMicroelectronics stl8n65m2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.