Продукція > STMICROELECTRONICS > STL8N6F7
STL8N6F7

STL8N6F7 STMicroelectronics

stl8n6f7.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL8N6F7 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STL8N6F7 за ціною від 18.02 грн до 76.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STL8N6F7 STL8N6F7 STMicroelectronics 22123423746338445a.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6F7 STL8N6F7 STMicroelectronics 22123423746338445a.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+23.67 грн
9000+22.66 грн
15000+21.51 грн
21000+20.09 грн
30000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6F7 STL8N6F7 STMicroelectronics stl8n6f7.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 3131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.36 грн
10+46.27 грн
50+34.15 грн
100+28.37 грн
500+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6F7 22123423746338445a.pdf
STL8N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6F7 22123423746338445a.pdf
STL8N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+23.67 грн
9000+22.66 грн
15000+21.51 грн
21000+20.09 грн
30000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N6F7 stl8n6f7.pdf
STL8N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 3131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.36 грн
10+46.27 грн
50+34.15 грн
100+28.37 грн
500+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.