STL8P2UH7

STL8P2UH7 STMicroelectronics


en.DM00093147-1223469.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET POWER MOSFET
на замовлення 3951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL8P2UH7 STMicroelectronics

Description: MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 16 V.

Інші пропозиції STL8P2UH7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL8P2UH7 STL8P2UH7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00093147.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.