STL8P4LLF6

STL8P4LLF6 STMicroelectronics


en.DM00101796.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 40V POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL8P4LLF6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL8P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8 A, 0.0175 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.9W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.9W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0175ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).

Інші пропозиції STL8P4LLF6 за ціною від 31.30 грн до 103.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STL8P4LLF6 STL8P4LLF6 Виробник : STMICROELECTRONICS 2815992.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL8P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8 A, 0.0175 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P4LLF6 STL8P4LLF6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00101796.pdf Description: MOSFET P-CH 40V POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 4861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.79 грн
10+62.15 грн
100+48.30 грн
500+38.42 грн
1000+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P4LLF6 STL8P4LLF6 Виробник : STMICROELECTRONICS 2815992.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL8P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8 A, 0.0175 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+103.16 грн
11+80.30 грн
100+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P4LLF6 STL8P4LLF6 Виробник : STMicroelectronics stl8p4llf6-956256.pdf MOSFET P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL8P4LLF6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00101796.pdf STL8P4LLF6 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.