STL90N10F7 STMicroelectronics
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 54.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL90N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL90N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 8000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STL90N10F7 за ціною від 57.41 грн до 195.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL90N10F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STL90N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 8000 µohm, PowerFLAT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL90N10F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL90N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 8000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL90N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII |
на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL90N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 70A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STL90N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 8-Pin Power Flat T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STL90N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 70A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |